Intel repense la mémoire avec de la DRAM verticale au-dessus du processeur

Intel associe une nouvelle stratégie de mémoire avec la conception de futurs processeurs, et Lip-Bu Tan déclare que l'entreprise envisage une configuration qui place la DRAM verticalement au-dessus du processeur tout en sautant la couche intermédiaire. Tan a également déclaré que la mémoire devient un facteur clé dans les futures puces plutôt qu'un ajout externe, en particulier pour les charges de travail d'IA.

L'entreprise a également recruté l'ancien PDG de SK hynix, Seok-Hee Lee, pour renforcer son travail sur la mémoire avancée et l'emballage. Intel essaie de pousser dans cette direction sous plusieurs angles tout en gardant son principal objectif sur les produits de processeurs. Une des architectures qu'Intel envisage est la DRAM verticale au-dessus du processeur. Selon l'entreprise, cela pourrait raccourcir les chemins de données et augmenter la largeur de l'interface, mais Intel admet également que cette approche présente des inconvénients clairs, notamment des problèmes de refroidissement et des défis de rendement des puces.

Intel a également décrit XBM dans un brevet, une technologie qui évite la couche de silicium intermédiaire utilisée dans la HBM traditionnelle. L'entreprise affirme que cette approche pourrait réduire les coûts, ce qui la rend particulièrement intéressante aux côtés de ses plans de mémoire plus larges. En même temps, Intel ne prévoit pas de revenir à la production de DRAM en masse. Au lieu de cela, l'entreprise souhaite se concentrer sur l'intégration de la mémoire et l'emballage pour les futurs produits, afin que Xeon, Core et les accélérateurs se distinguent plus clairement de leurs concurrents.

Les ambitions d'Intel en matière de mémoire deviennent plus sérieuses, mais l'entreprise semble toujours réticente à redevenir un fabricant de DRAM en masse. Elle a également recruté Seok-Hee Lee pour aider à faire avancer cette stratégie, soulevant la question de savoir si l'intégration et l'emballage seuls seront suffisants.

Intel peut-elle se démarquer dans la mémoire en se concentrant sur l'intégration et l'emballage plutôt que sur la production de DRAM en masse ?