Intel Annonce ZAM — Une Nouvelle Alternative Énergétiquement Efficace à HBM

Intel a annoncé un partenariat stratégique avec le groupe SoftBank du Japon, et dans le cadre de cette collaboration, l'entreprise s'engagera, pour la première fois depuis 1985, dans la fabrication de modules de mémoire en développant une technologie fondamentalement nouvelle appelée Z-Angle Memory (ZAM). Le partenariat vise à répondre à la pénurie croissante de mémoire, alors que SoftBank construit une infrastructure de centre de données à grande échelle au Japon pour des tâches d'IA, et la nouvelle mémoire est destinée à être un composant clé pour cela.

La technologie Z-Angle Memory est positionnée comme une alternative à la norme HBM. Sa principale différence est une topologie de connexion unique : au lieu des interconnexions verticales traditionnelles, ZAM utilise une disposition en forme de Z (diagonale ou en escalier). Les données préliminaires suggèrent que cela permet jusqu'à 512 Go par puce, ce qui représente 2 à 3 fois la capacité des solutions HBM existantes.

ZAM devrait consommer 40 à 50 % d'énergie en moins et pourrait être moins cher à fabriquer grâce à son schéma de connexion innovant et à l'utilisation d'un assemblage hybride en cuivre. Pour l'intégration avec les processeurs, la technologie propriétaire d'Intel EMIB (Embedded Multi-Die Interconnect Bridge) sera utilisée pour réduire la latence.

Ce projet fait partie de l'initiative Advanced Memory Technology (AMT), soutenue par le département américain de l'Énergie. Pour Intel, cela marque un retour significatif dans le secteur des modules de mémoire, que l'entreprise a quitté il y a presque 40 ans après avoir fait face à une concurrence intense.

Les premiers prototypes de Z-Angle Memory devraient être prêts vers 2028-2029.